Infineon IMW1 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247

Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik. CoolSiC-MOSFETs sind ideal für hart- und resonante Schalttopologien wie Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und DC/DC-Wandler oder DC/AC-Wechselrichter.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste