Infineon IMW1 IMW120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247

Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste