Infineon IMZ1 IMZ120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 4-Pin TO-247-4

Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 45 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung