Infineon IMZ1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 4.7 A, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
9,41 €
(ohne MwSt.)
11,198 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 192 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,705 € | 9,41 € |
| 10 - 18 | 4,28 € | 8,56 € |
| 20 - 48 | 3,995 € | 7,99 € |
| 50 - 98 | 3,715 € | 7,43 € |
| 100 + | 3,43 € | 6,86 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMZ1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMZ1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Treiberquellen-Pin für optimierte Schaltleistung
Verwandte Links
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A, 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A, 4-Pin IMZ120R045M1XKSA1 TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon IMZ1 Typ N-Kanal 4-Pin IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247