Infineon IMW1 IMW120R060M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4855
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
7,749 €
(ohne MwSt.)
9,221 €
(inkl. MwSt.)
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,749 € | 232,47 € |
| 60 - 60 | 7,361 € | 220,83 € |
| 90 + | 6,897 € | 206,91 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 222-4855
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 60 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 36 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Serie | IMW1 |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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