Infineon CoolSiC AIMW120R060M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-3488
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (In einer Stange von 240)
21,124 €
(ohne MwSt.)
25,138 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 240 + | 21,124 € | 5.069,76 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 233-3488
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon CoolSiC MOSFETs für die Kfz-Familie wurden für aktuelle und zukünftige On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt. Er hat 36 A Drain-Strom.
Effizienzverbesserung
Ermöglicht eine höhere Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierung des Kühlaufwands
Ermöglicht eine höhere Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierung des Kühlaufwands
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 36 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Serie | CoolSiC |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,06 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Infineon CoolSiC AIMW120R060M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V /...
- Infineon CoolSiC AIMW120R035M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V /...
- Infineon CoolSiC AIMW120R080M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V /...
- Infineon IMW1 IMW120R060M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36...
- Infineon CoolSiC IMW65R107M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20...
- Infineon CoolSiC IMW65R057M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35...
- Infineon CoolSiC IMW65R072M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26...
- Infineon CoolSiC IMW65R083M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 24...