Infineon CoolSiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 150 A 20 mW EasyDUAL
- RS Best.-Nr.:
- 348-978
- Herst. Teile-Nr.:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Gehäusegröße | EasyDUAL | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Gehäusegröße EasyDUAL | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul wurde entwickelt, um hochleistungsfähige Stromversorgungslösungen mit einem erstklassigen Gehäuse zu liefern. Es zeichnet sich durch eine kompakte Höhe von 12 mm für eine effiziente Raumnutzung aus. Das Modul enthält modernste WBG-Materialien (Wide Bandgap), die eine hervorragende Effizienz, Zuverlässigkeit und thermische Leistung bieten. Die sehr geringe Streuinduktivität des Moduls sorgt für minimierte Leistungsverluste und eine verbesserte Schaltdynamik. Das Modul wird vom Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1 gespeist, der ein verbessertes Wärmemanagement und einen höheren Wirkungsgrad bietet und damit ideal für anspruchsvolle Leistungsanwendungen ist.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte