Infineon CoolSiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 150 A 20 mW EasyDUAL

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RS Best.-Nr.:
348-978
Herst. Teile-Nr.:
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Gehäusegröße

EasyDUAL

Montageart

Schraubanschlussklemme

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Durchlassspannung Vf

5.35V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul wurde entwickelt, um hochleistungsfähige Stromversorgungslösungen mit einem erstklassigen Gehäuse zu liefern. Es zeichnet sich durch eine kompakte Höhe von 12 mm für eine effiziente Raumnutzung aus. Das Modul enthält modernste WBG-Materialien (Wide Bandgap), die eine hervorragende Effizienz, Zuverlässigkeit und thermische Leistung bieten. Die sehr geringe Streuinduktivität des Moduls sorgt für minimierte Leistungsverluste und eine verbesserte Schaltdynamik. Das Modul wird vom Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1 gespeist, der ein verbessertes Wärmemanagement und einen höheren Wirkungsgrad bietet und damit ideal für anspruchsvolle Leistungsanwendungen ist.

Hervorragende Moduleffizienz

Kostenvorteile des Systems

Verbesserung der Systemeffizienz

Geringerer Kühlungsbedarf

Ermöglichung einer höheren Frequenz

Erhöhung der Leistungsdichte

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