Infineon CoolSiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 100 A 20 mW EasyPACK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

400,57 €

(ohne MwSt.)

476,68 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 18 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +400,57 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
348-971
Herst. Teile-Nr.:
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Gehäusegröße

EasyPACK

Montageart

Schraubanschlussklemme

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.35V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul wurde für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Bauhöhe von 12 mm für eine effiziente Raumnutzung aus. Er verfügt über ein führendes Wide Bandgap (WBG)-Material, das die Energieeffizienz und die thermische Leistung verbessert. Mit einer sehr geringen Streuinduktivität des Moduls minimiert dieses Modul die Leistungsverluste und verbessert die Schaltgeschwindigkeit für einen effizienteren Betrieb.

Hervorragende Moduleffizienz

Kostenvorteile des Systems

Verbesserung der Systemeffizienz

Geringerer Kühlungsbedarf

Ermöglichung einer höheren Frequenz

Erhöhung der Leistungsdichte

Verwandte Links