Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 75 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 349-249
- Herst. Teile-Nr.:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul 1200 V, 11 mΩ G1 mit NTC, PressFIT-Kontakttechnologie und Aluminiumnitrid-Keramik. Der MOSFET wurde in einem erstklassigen Gehäuse mit einer kompakten Bauhöhe von 12,25 mm entwickelt, das den Platzbedarf optimiert und gleichzeitig eine außergewöhnliche Leistung bietet. Er enthält modernste Wide-Bandgap-Materialien, die eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleisten. Das Modul zeichnet sich durch eine sehr geringe Streuinduktivität aus, was die Leistungsverluste minimiert und die gesamte Schaltleistung verbessert.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
Bessere Wärmeleitfähigkeit des DCB-Materials
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