Infineon F4-17MR12W1M1HP_B76 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 45 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 348-966
- Herst. Teile-Nr.:
- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET-Vierfachmodul 1200 V, 17 mΩ G1 hat NTC, vorappliziertes Wärmeleitmaterial und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieser MOSFET ist mit einem erstklassigen Gehäuse ausgestattet und zeichnet sich durch eine kompakte Höhe von 12 mm für eine effiziente Integration aus. Es werden modernste Wide Bandgap-Materialien verwendet, die die Leistung und Energieeffizienz verbessern. Das Design bietet eine sehr geringe Streuinduktivität des Moduls, was die Leistungsverluste reduziert und die Schalteigenschaften verbessert. Mit dem Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1 bietet er eine hervorragende thermische Leistung und Zuverlässigkeit.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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