Infineon F4-8MR12W2M1H_B70 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 100 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 348-969
- Herst. Teile-Nr.:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | F4-8MR12W2M1H_B70 | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, 60068, 60749 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie F4-8MR12W2M1H_B70 | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, 60068, 60749 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul 1200 V, 8 mΩ G1 mit NTC, PressFIT-Kontakttechnologie und Aluminiumnitrid-Keramik. Dieser MOSFET bietet ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Bauhöhe von 12 mm, wodurch sowohl Platz als auch Leistung optimiert werden. Er ist mit modernsten Wide Bandgap (WBG)-Materialien ausgestattet, die eine überragende Effizienz und Leistungsaufnahme bieten. Das Design beinhaltet eine sehr geringe Streuinduktivität des Moduls, was die Leistungsverluste minimiert und die Schaltdynamik verbessert. Mit dem Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1 bietet er eine hervorragende thermische Leistung und Zuverlässigkeit.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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