Infineon FF11MR12W2M1HP_B11 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 75 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 348-976
- Herst. Teile-Nr.:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Serie | FF11MR12W2M1HP_B11 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Serie FF11MR12W2M1HP_B11 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul wurde für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt und bietet ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Höhe von 12 mm. Es nutzt modernstes Wide Bandgap (WBG)-Material, das eine verbesserte Energieeffizienz und thermische Leistung bietet. Das Modul ist mit einer sehr geringen Streuinduktivität ausgestattet, was die Leistungsverluste minimiert und die Schaltgeschwindigkeit verbessert.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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