Infineon FF11MR12W2M1H_B70 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 75 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 348-975
- Herst. Teile-Nr.:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Serie | FF11MR12W2M1H_B70 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Serie FF11MR12W2M1H_B70 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC-MOSFET-Halbbrückenmodul kombiniert modernste Technologie mit herausragendem Design für Hochleistungsanwendungen. Mit einem erstklassigen Gehäuse und einer kompakten Höhe von 12,25 mm optimiert es sowohl den Platz als auch die Leistung. Das Modul verwendet modernstes Wide Bandgap (WBG)-Material, das eine verbesserte Leistungseffizienz, thermische Leistung und Zuverlässigkeit bietet. Seine sehr geringe Modul-Streuinduktivität minimiert die Leistungsverluste und verbessert das Schaltverhalten.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
Bessere Wärmeleitfähigkeit des DCB-Materials
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