Infineon F4-11MR12W2M1H_B70 N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A 20 mW
- RS Best.-Nr.:
- 349-250
- Herst. Teile-Nr.:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen 60749, IEC 60747, 60068 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul 1200 V, 11 mΩ G1 hat NTC, vorappliziertes Wärmeleitmaterial (TIM) und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieser MOSFET zeichnet sich durch ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Höhe von 12 mm aus, das optimale Leistung bei gleichzeitiger Platzersparnis gewährleistet. Er verwendet modernste Wide-Bandgap-Materialien, die die Leistungseffizienz und das Wärmemanagement verbessern. Das Design zeichnet sich durch eine sehr geringe Streuinduktivität des Moduls aus, was die Leistungsverluste reduziert und die Schaltgeschwindigkeit verbessert.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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