Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 60 A, 4-Pin

Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET zeichnet sich als Hochleistungsbauteil für anspruchsvolle Anwendungen aus. Mit fortschrittlicher Siliziumkarbidtechnologie bietet er außergewöhnliche Effizienz und thermische Leistung, womit er sich ideal für den Einsatz in modernen Stromversorgungssystemen eignet. Mit seiner robusten Struktur und seinen innovativen Merkmalen gewährleistet dieses Gerät Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen wie String-Wechselrichtern, Solarstromoptimierung und dem Laden von Elektrofahrzeugen. Der sorgfältig entwickelte MOSFET ist optimal für Hochspannungsumgebungen geeignet und bietet überlegene Betriebsvorteile für den industriellen und kommerziellen Einsatz. Seine fortschrittliche Vernetzungstechnologie trägt zusätzlich zu seinem prestigeträchtigen Ruf auf dem Markt bei und ermöglicht eine verlängerte Gerätelebensdauer und verbesserte Leistungsmanagementfunktionen.

Geringe Schaltverluste für mehr Effizienz