Nexperia Doppelt Trench MOSFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET -20 V Erweiterung / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

5,175 €

(ohne MwSt.)

6,15 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 7.075 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 +0,207 €5,18 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
152-8344
Herst. Teile-Nr.:
PMDXB950UPELZ
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Trench-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

4025mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.19nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

1.05 mm

Länge

1.15mm

Höhe

0.36mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

Zweifach-P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, Zweifach-P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Niedriger Leckstrom

Trench MOSFET-Technologie

Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBM

Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle RDSon = 1,02 Ω

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

High-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Verwandte Links