Nexperia P-Kanal Dual, SMD MOSFET 50 V / 160 mA 320 mW, 6-Pin SOT-363
- RS Best.-Nr.:
- 792-0917
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84AKS,115
- Marke:
- Nexperia
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- BSS84AKS,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 320 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,26 nC @ 5 V | |
| Breite | 1.35mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 160 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 50 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7,5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 320 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,26 nC @ 5 V | ||
Breite 1.35mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||