Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 860 mA 410 mW, 6-Pin SC-88

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

2,98 €

(ohne MwSt.)

3,54 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 200,149 €2,98 €
40 - 800,10 €2,00 €
100 - 1800,07 €1,40 €
200 - 3800,07 €1,40 €
400 +0,068 €1,36 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
725-8394
Herst. Teile-Nr.:
PMGD290XN,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

860mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.72nC

Maximale Verlustleistung Pd

410mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links