Nexperia PMGD290XN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 mA 410 mW, 6-Pin SOT-363

RS Best.-Nr.:: 166-0612
Herst. Teile-Nr.:: PMGD290XN,115
Marke:: Nexperia

Nexperia PMGD290XN,115 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 mA 410 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:: 166-0612
Herst. Teile-Nr.:: PMGD290XN,115
Marke:: Nexperia

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	860 mA
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-363
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	350 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Gate-Schwellenspannung min.	0.5V
Verlustleistung max.	410 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	1.35mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	2.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,72 nC @ 4,5 V
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C