Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 mA 410 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
166-0612
Herst. Teile-Nr.:
PMGD290XN,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

860 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

350 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.5V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

410 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Breite

1.35mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,72 nC @ 4,5 V

Länge

2.2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia



MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

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