Nexperia Isoliert Trench MOSFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

6,00 €

(ohne MwSt.)

7,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 2.240 Einheit(en) mit Versand ab 13. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 800,30 €6,00 €
100 - 1800,27 €5,40 €
200 +0,24 €4,80 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
725-8329
Herst. Teile-Nr.:
PMGD280UN,115
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

870mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.89nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


Verwandte Links