Infineon IPA65R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
222-4881
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R045C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPA65R

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

Hervorragende CoolMOS-Qualität

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