Infineon IPA60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 18 A, 3-Pin IPB60R040CFD7ATMA1 TO-220

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

6,49 €

(ohne MwSt.)

7,724 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 782 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +3,245 €6,49 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4887
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R040CFD7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA60R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS TM CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 im D2PAK-Gehäuse ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern

Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung

Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien

Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

Verwandte Links