Infineon IPB60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A, 3-Pin IPB60R090CFD7ATMA1 TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

9,96 €

(ohne MwSt.)

11,86 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 744 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 84,98 €9,96 €
10 - 184,18 €8,36 €
20 - 483,935 €7,87 €
50 - 983,64 €7,28 €
100 +3,39 €6,78 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4891
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R090CFD7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IPB60R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS TM CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R090CFD7 im D2PAK-Gehäuse ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und EOSS

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Verwandte Links