Infineon CoolMOS™ C7 IPD60R180C7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 222-4901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
999999999 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2500)
1,23 €
(ohne MwSt.)
1,46 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,23 € | 3.075,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R180C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.
Ermöglicht eine Erhöhung der Schaltfrequenz ohne Effizienzverlust
Messung mit Schlüsselparameter für leichte Last und volle Lasteffizienz
Die Verdoppelung der Schaltfrequenz halbiert die Größe magnetischer Komponenten
Kleinere Gehäuse für denselben R DS(on)
Kann in vielen weiteren Positionen für harte und weiche Schalttopologien verwendet werden
Messung mit Schlüsselparameter für leichte Last und volle Lasteffizienz
Die Verdoppelung der Schaltfrequenz halbiert die Größe magnetischer Komponenten
Kleinere Gehäuse für denselben R DS(on)
Kann in vielen weiteren Positionen für harte und weiche Schalttopologien verwendet werden
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 13 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Serie | CoolMOS™ C7 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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