Infineon IPD50R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPD60R180C7ATMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:
222-4902
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R180C7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPD50R

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.

Ermöglicht eine Erhöhung der Schaltfrequenz ohne Effizienzverlust

Messung mit Schlüsselparameter für leichte Last und volle Lasteffizienz

Die Verdoppelung der Schaltfrequenz halbiert die Größe magnetischer Komponenten

Kleinere Gehäuse für denselben R DS(on)

Kann in vielen weiteren Positionen für harte und weiche Schalttopologien verwendet werden

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