Infineon IPS70R N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-251

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222-4936P
Herst. Teile-Nr.:
IPS70R900P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

IPS70R

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

30.5W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Breite

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction-MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V CoolMOS TM P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:

Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten

Integrierte Zenerdiode

Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.

Fein abgestuftes Portfolio

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