ROHM RQ7L050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 223-6377
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L050ATTCR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 223-6377
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L050ATTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Serie | RQ7L050AT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 390mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Serie RQ7L050AT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET Rohm für kleine Signale hat den Typ TSMT8. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform