ROHM RQ7L050AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 223-6378
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L050ATTCR
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
9,39 €
(ohne MwSt.)
11,17 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,939 € | 9,39 € |
| 50 - 90 | 0,919 € | 9,19 € |
| 100 - 240 | 0,70 € | 7,00 € |
| 250 - 990 | 0,683 € | 6,83 € |
| 1000 + | 0,488 € | 4,88 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 223-6378
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ7L050ATTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RQ7L050AT | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 390mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RQ7L050AT | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET Rohm für kleine Signale hat den Typ TSMT8. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Verwandte Links
- ROHM P-Kanal 8-Pin TSMT-8
- ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2 8-Pin TSMT QH8JC5TCR
- ROHM QH8MC5 Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin QH8MC5TCR TSMT-8
- ROHM RQ7G080AT Typ P-Kanal 8-Pin RQ7G080ATTCR TSMT
- ROHM P-Kanal Dual5 A, 8-Pin TSMT-8
- ROHM RQ6L035AT Typ P-Kanal 6-Pin TSMT
- ROHM RQ6L035AT Typ P-Kanal 6-Pin RQ6L035ATTCR TSMT
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal 8-Pin RQ1E050RPHZGTR TSMT-8
