ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 7-Pin DFN

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223-6395
Herst. Teile-Nr.:
UT6JB5TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.22Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.65mm

Länge

2mm

Breite

2 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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