Infineon BSS127I N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 21 mA 0.5 W, 3-Pin SOT-23

Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für das allgemeine Schalten in oberflächenmontierten Anwendungen über einen breiten Umgebungsbereich ausgelegt ist. Er ist für Schaltkreise vorgesehen, die einen Hochspannungstransistor mit geringer Strombelastbarkeit und ein Standard-Drei-Pin-SOT-23-Gehäuse für die Integration auf Board-Ebene benötigen.

• 600 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• Die Verlustleistung von 0,5 W begrenzt die thermische Belastung in engen Designs
• 21 mA kontinuierlicher Ableitstrom eignet sich für das Schalten von Niederstrom-Signalen
• Gate-Ladung von 0,65 nC unterstützt schnellere Gate-Übergänge bei geringem Antrieb
• 600 Ω Drain-Source-Widerstand sorgt für vorhersehbare Leckage im Aus-Zustand
• Die Gate-Bewertung von 20 V ermöglicht die Schnittstelle zu gängigen Treibern mit Logikpegel

• Geeignet für die Schaltung von Hochspannungssignalen in Steuerkreisen
• Ideal für die stromsparende Leistungslenkung von Relais und Magnetspulen
• Einsatz mit Logik-Treibern, bei denen eine geringe Gate-Ladung Verluste reduziert
• Kann für platinenmontierte Pegelverschiebungs- und Schutzschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Module, die kleine Gehäuse erfordern

Er arbeitet zuverlässig von -55 °C bis 150 °C.

Der Durchlassschwellenwert beträgt 1,2 V, was die Dioden in Schaltkreisen informiert.

Er wird in einer SOT-23-Oberflächenmontage mit drei Stiften geliefert, die eine einfache Platzierung der Leiterplatte ermöglichen.

Das Gehäuse misst 6,7 x 3,7 x 1,8 mm und ermöglicht eine kompakte Platzierung unter Beibehaltung thermischer Einschränkungen.