STMicroelectronics STD9N60M6 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 600 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 225-0672
- Herst. Teile-Nr.:
- STD9N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Voraussichtlich ab 08.07.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,593 €
(ohne MwSt.)
1,896 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,593 € | 15,93 € |
| 20 - 90 | 1,458 € | 14,58 € |
| 100 - 240 | 1,347 € | 13,47 € |
| 250 - 490 | 1,249 € | 12,49 € |
| 500 + | 1,216 € | 12,16 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 225-0672
- Herst. Teile-Nr.:
- STD9N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die neue M6-Technologie von STMicroelectronics umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.
Geringere Schaltverluste
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,75 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.75V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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