STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 210-8742
- Herst. Teile-Nr.:
- STD15N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
10,56 €
(ohne MwSt.)
12,565 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,112 € | 10,56 € |
| 50 - 95 | 1,804 € | 9,02 € |
| 100 - 245 | 1,412 € | 7,06 € |
| 250 - 995 | 1,384 € | 6,92 € |
| 1000 + | 1,03 € | 5,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-8742
- Herst. Teile-Nr.:
- STD15N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 338mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 338mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.2 mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der Mesh-DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen Mesh-Schnellerzeugung kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin STD13N60DM2 TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal 3-Pin STD16N60M2 TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin STD2HNK60Z TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin STD4NK60ZT4 TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin STD3NK60ZT4 TO-252