STMicroelectronics STD11N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 188-8285
Herst. Teile-Nr.:: STD11N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STD11N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: STD11N60DM2
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Datasheet STD11N60DM2

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Produktdetails

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der Serie MDmesh TM DM2 mit schneller Erholung. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	420 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	4V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	16,5 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	2.17mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics STD11N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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