STMicroelectronics STD11N60DM2 N-Kanal, SMD MOSFET / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 188-8550
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STD11N60DM2
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Produktdetails
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der Serie MDmesh TM DM2 mit schneller Erholung. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 420 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 4V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±25 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 6.6mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16,5 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 6.2mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 2.17mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V |
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