STMicroelectronics STD11N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 85 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 188-8286
Herst. Teile-Nr.:: STD11N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STD11N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 85 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: STD11N65M2
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Datasheet STD11N65M2

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Produktdetails

Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der M2-Technologie von MDmesh entwickelt wurden. Dank ihres Streifenlayouts und ihrer verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet sind.

Sehr geringe Gate-Ladung
Ausgezeichnetes Ausgangskapazitätsprofil (COSS)
Zenerdioden-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7 A
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	680 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	85 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	100 nC @ 10 V
Breite	6.2mm
Höhe	2.17mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics STD11N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET / 7 A 85 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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