STMicroelectronics MDmesh M2 STD13N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 876-5623
Herst. Teile-Nr.:: STD13N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STD13N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 876-5623
Herst. Teile-Nr.:: STD13N65M2
Marke:: STMicroelectronics

STD13N65M2 N-channel 650 V 10 A MDmesh Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	MDmesh M2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	430 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	17 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.2mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	2.4mm

STMicroelectronics MDmesh M2 STD13N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

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