STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin STD16N60M2 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
STD16N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

MDmesh M2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

320mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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