STMicroelectronics MDmesh M2 STD16N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 876-5632
Herst. Teile-Nr.:: STD16N60M2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M2 STD16N60M2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: STD16N60M2
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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics

Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh M2
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	320 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	2.4mm