- RS Best.-Nr.:
- 876-5632
- Herst. Teile-Nr.:
- STD16N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- STD16N60M2
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- STMicroelectronics
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics
Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | MDmesh M2 |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 320 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 110 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 6.2mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Länge | 6.6mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Diodendurchschlagsspannung | 1.6V |
Höhe | 2.4mm |
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