Vishay N-Channel 150 V SiR578DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 70,2 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 225-9930
Herst. Teile-Nr.:: SiR578DP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Channel 150 V SiR578DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 70,2 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

2,642 €

(ohne MwSt.)

3,144 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	2,642 €	13,21 €
50 - 120	2,51 €	12,55 €
125 - 245	2,114 €	10,57 €
250 - 495	1,982 €	9,91 €
500 +	1,85 €	9,25 €

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RS Best.-Nr.:: 225-9930
Herst. Teile-Nr.:: SiR578DP-T1-RE3
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Datasheet - SiR578DP-T1-RE3

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Produktdetails

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	70,2 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Serie	N-Channel 150 V
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,01 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay N-Channel 150 V SiR578DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 70,2 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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