Vishay TrenchFET Si7454FDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 228-2829
Herst. Teile-Nr.:: Si7454FDP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Si7454FDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,643 €

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,643 €	6,43 €
100 - 240	0,578 €	5,78 €
250 - 490	0,494 €	4,94 €
500 - 990	0,418 €	4,18 €
1000 +	0,386 €	3,86 €

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RS Best.-Nr.:: 228-2829
Herst. Teile-Nr.:: Si7454FDP-T1-RE3
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Datasheet - Si7454FDP-T1-RE3

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Vishay TrenchFET N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für DC/DC-Primär-Seitenschalter, Telekommunikation/Server, Motorsteuerung und synchrone Gleichrichtung verwendet.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	23,5 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0295 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si

Vishay TrenchFET Si7454FDP-T1-RE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 23,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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