Vishay E N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 3 A 29 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
SiHA5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 850 V Drain-Source-Spannung, 3 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHA5N80AE-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Leiterplattenmontage geliefert, wodurch er sich für industrielle Baugruppen eignet, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und eine zugängliche Montage erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 850 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 3 A Dauerstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die Verlustleistung von 29 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 1,35 Ω Rds(on) sorgen für vorhersehbare Leitungsverluste
• 11 nC typische Gate-Ladung gewährleistet überschaubare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Spannung von 30 V ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsstufen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Wird mit stromversorgten Schaltnetzteilen und Wechselrichtern verwendet
• Kann für Hochspannungs-Laborprüfgeräte verwendet werden
• Geeignet für diskrete Schalterimplementierungen in der Leistungssteuerung

Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt einen breiten industriellen Betriebsbereich ab.

Wie wird es montiert und in ältere Designs integriert?


Die Komponente wird im TO-220-Durchgangslochformat geliefert, wodurch ein gelöteter oder verschraubter Kühlkörperanschluss möglich ist und herkömmliche Leiterplatten einfach ausgetauscht werden können.

Welche Gate-Drive-Bedenken sollten beachtet werden?


Stellen Sie sicher, dass die Amplitude des Gate-Antriebs nicht mehr als 30 V beträgt und bieten Sie eine ausreichende Antriebsstärke für die typische Gate-Ladung von 11 nC, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen.

Ist sie für zertifizierte Automobilprojekte geeignet?


Er wird nicht mit einer Kfz-Standardzulassung geliefert und sollte nicht davon ausgegangen werden, dass er den Fahrzeugspezifischen Qualifikationsanforderungen entspricht.

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