Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 850 V / 3 A 29 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 245 | 1,652 € | 8,26 € |
| 250 - 495 | 1,562 € | 7,81 € |
| 500 - 1245 | 1,478 € | 7,39 € |
| 1250 + | 1,128 € | 5,64 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-2840
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))