Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 25 A 179 W, 3-Pin SIHB120N60E-T5-GE3 TO-263

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228-2845
Herst. Teile-Nr.:
SIHB120N60E-T5-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

E

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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