Vishay E N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*

70,10 €

(ohne MwSt.)

83,42 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 942 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
20 - 483,505 €
50 - 983,30 €
100 - 1983,10 €
200 +2,88 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2847P
Herst. Teile-Nr.:
SIHB24N80AE-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

184mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.