Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7 A 4 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
228-2946
Herst. Teile-Nr.:
SQ4946CEY-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

4W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay TrenchFET-Zweikanal-N-Kanal für die Automobilindustrie ist ein Leistungs-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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