Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18 A 33 W, 8-Pin SQS414CENW-T1_GE3 PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 228-2963
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS414CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 250 - 600 | 0,532 € | 13,30 € |
| 625 - 1225 | 0,502 € | 12,55 € |
| 1250 - 2475 | 0,384 € | 9,60 € |
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQS414CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay TrenchFET KFZ-N-Kanal ist ein 60-V-Leistungs-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
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