Vishay SQSA70CENW Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

RS Best.-Nr.:: 228-2971
Herst. Teile-Nr.:: SQSA70CENW-T1_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQSA70CENW Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W

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RS Best.-Nr.:: 228-2971
Herst. Teile-Nr.:: SQSA70CENW-T1_GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8 W
	Serie	SQSA70CENW
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	68.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8nC
	Durchlassspannung Vf	0.85V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	62.5W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	3.3mm
	Breite	3.3mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	3.3mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W
	Serie SQSA70CENW
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 68.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC
	Durchlassspannung Vf 0.85V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 62.5W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 3.3mm
	Breite 3.3mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 3.3mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SQSA70CENW-T1_GE3

MOSFET der Serie SQSA70CENW von Vishay, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQSA70CENW-T1_GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Leistungsgerät, das für die Leiterplattenmontage in anspruchsvollen Automobil- und industriellen Steuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er unterstützt Schalt- und Laststeuerungsrollen, bei denen eine erhöhte Drain-Source-Spannungskapazität und eine geringe Gate-Ladung erforderlich sind, und ist so konstruiert, dass er die Erwartungen an die Belastung im Automobil und die Anforderungen an die Oberflächenmontage erfüllt.

Merkmale und Vorteile:

• 150 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltleistung • 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung • 68,5 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste während des Betriebs • 8 nC-typische Gate-Ladung reduziert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf • Die Verlustleistung von 62,5 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung • Maximale Betriebstemperatur von 175 °C ermöglicht eine hohe Umgebungstemperatur

Anwendungen

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule, die eine AEC‐Q101-Qualifikation erfordern • Ideal für DC/DC-Wandler in industriellen Automatisierungssystemen • Wird für die Schaltung von Motorsteuerungen in kompakten Elektronikbaugruppen verwendet • Kann für Batteriemanagement und Power-Path-Steuerkreise verwendet werden

Welche Befestigungsmethode ist für die Integration erforderlich?

Es wird als oberflächenmontiertes PowerPAK 1212-8W-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert, um kompakte Leiterplattenlayouts und eine automatisierte Platzierung zu erleichtern.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?

Das Gerät darf nicht Gate-Source-Spannungen über 20 V ausgesetzt werden, um eine Überbelastung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.

Wie wirkt sich die Wärmeleistung auf die Kühlungsanforderungen aus?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 62,5 W und einer erhöhten Betriebshöhe von 175 °C sollten Platinen- und Kühlkörperstrategien so dimensioniert werden, dass die Sperrschichttemperaturen für den Dauerbetrieb innerhalb sicherer Grenzen bleiben.

Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er tolerieren?

Er arbeitet in einem weiten Bereich von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl bei Kaltstart als auch bei hoher Hitze.

Welche Eigenschaften tragen zur Reduzierung von Schaltverlusten bei?

Die Kombination aus einer Gate-Ladung von 8 nC und einem geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand trägt zu geringeren Schalt- und Leitungsverlusten in Hochfrequenzanwendungen bei.