Infineon IPP026N10NF2S N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 27 A 250 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-6545
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP026N10NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,83 €
(ohne MwSt.)
10,508 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 306 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,415 € | 8,83 € |
| 10 - 18 | 3,895 € | 7,79 € |
| 20 - 48 | 3,62 € | 7,24 € |
| 50 - 98 | 3,40 € | 6,80 € |
| 100 + | 3,145 € | 6,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-6545
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP026N10NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP026N10NF2S | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP026N10NF2S | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPP026N10NF2S Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 27 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPP026N10NF2SAKMA1
Dieser MOSFET ist ein leistungsstarker N-Kanal-Halbleiter, der für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet eine hohe Dauerstrombelastbarkeit und eine hohe Ablass-Quellenspannung, die sich für Schaltkreise eignet, die eine robuste Leitungs- und Schaltleistung erfordern. Er ist in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung untergebracht und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine einfache Montage und Kühlung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste im Hochstrombetrieb
• Hohe Drain-Source-Spannung unterstützt 100-V-Schaltanwendungen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht dauerhafte 27-A-Lasten
• Hohe Verlustleistung ermöglicht einen thermischen Durchsatz von 250 W
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht eine handhabbare Antriebsenergie bei hoher Leistung
• Hohe Drain-Source-Spannung unterstützt 100-V-Schaltanwendungen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht dauerhafte 27-A-Lasten
• Hohe Verlustleistung ermöglicht einen thermischen Durchsatz von 250 W
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht eine handhabbare Antriebsenergie bei hoher Leistung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstromschaltungen in Netzteilen
• Verwendung mit diskreten Kühlkörpern für industrielle Wandler
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen, die eine Kapazität von 27 A erfordern
• Kann für 100-V-DC-DC-Wandlerschalter verwendet werden
• Geeignet für Durchsteck-Prototyping- und Reparaturarbeiten
• Verwendung mit diskreten Kühlkörpern für industrielle Wandler
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen, die eine Kapazität von 27 A erfordern
• Kann für 100-V-DC-DC-Wandlerschalter verwendet werden
• Geeignet für Durchsteck-Prototyping- und Reparaturarbeiten
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten während des Gebrauchs eingehalten werden?
Das Gerät darf eine Gate-Source-Spannung von 20 V nicht überschreiten, um Gate-Schäden zu vermeiden.
Welchem Temperaturbereich kann er unter Betriebsbedingungen standhalten?
Er kann in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen betrieben werden.
Wie sollte das Gehäuse für eine optimale Kühlung montiert werden?
Das durchkontaktierte TO-220-Format ermöglicht die Befestigung an einer Leiterplatte und die direkte Montage eines Kühlkörpers an der Lasche, um die Verlustleistung zu maximieren.
Welche Leitungscharakteristik wirkt sich auf die Schalteffizienz aus?
Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen Drain-Source-Widerstand von ca. 2,6 mΩ, wodurch I^2R-Verluste während der Leitung reduziert werden.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 103 nC erfordert einen Treiber, der schnell genügend Ladung liefern kann, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig Antriebsverluste zu bewältigen.
Verwandte Links
- Infineon IPP026N10NF2S Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V / 46 A TO-220
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP019N08NF2S Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET / 185 A TO-220