Infineon IPP026N10NF2S Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 27 A 250 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-6545
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP026N10NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
8,83 €
(ohne MwSt.)
10,508 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 306 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,415 € | 8,83 € |
| 10 - 18 | 3,895 € | 7,79 € |
| 20 - 48 | 3,62 € | 7,24 € |
| 50 - 98 | 3,40 € | 6,80 € |
| 100 + | 3,145 € | 6,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-6545
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP026N10NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPP026N10NF2S | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPP026N10NF2S | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.45mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPP026N10NF2S ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die Drain-Quellspannung dieses Mosfet beträgt 100 V. Es unterstützt eine Vielzahl von Anwendungen und die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch per Drop-in. Dieses Mosfet hat eine erhöhte Strombelastbarkeit.
Optimiert für eine Vielzahl von Anwendungen
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- Infineon IPP026N10NF2S Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 250 V / 46 A TO-220
- Infineon OptiMOS N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 197 A 250 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP019N08NF2S Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET / 185 A TO-220