Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 28 A 38 W, 8-Pin SuperSO

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste Gate-Toleranz und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern. Er ist in einem 8-poligen SuperSO-Format für eine kompakte Integration auf Board-Ebene untergebracht.

• Die Nennleistung von 80 V ermöglicht Hochspannungsschaltungen in Stromkreisen
• 23 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 28 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 38 W Verlustleistung ermöglichen eine dauerhafte Stromversorgung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V minimiert die Konduktivität der Gehäusediode

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Motorantriebsstufen in Fahrzeugen
• Wird zum Schalten von DC/DC-Wandlerausgängen verwendet
• Kann für Batteriemanagementsysteme verwendet werden
• Nützlich in der Elektronik in Hochtemperatur-Motorräumen

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt und gewährleistet den Betrieb in typischen und erhöhten Automobilumgebungen.

Er wird in einem SuperSO-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten vorgesehen ist, die kompakte Hochleistungskomponenten erfordern.

Das Gerät ist ein N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der einen positiven Gate-to-Source-Antrieb zum Einschalten und Leiten erfordert.

Das Gehäuse verfügt über acht Stifte, die für eine korrekte Löt- und Wärmeleistung in der Leiterplatten-Grundfläche untergebracht werden sollten.