Infineon IPZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 71 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-1850
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 229-1850
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IPZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IPZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen