Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 3.6 A 4.9 W IRLHS6376TRPBF PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9447
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6376TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9447
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6376TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.9W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.9W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLHS-Serie ist ein 30-V-Dual-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse
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