onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin NTD360N65S3H TO-252

RS Best.-Nr.:: 229-6453
Herst. Teile-Nr.:: NTD360N65S3H
Marke:: onsemi

onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin NTD360N65S3H TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

12,36 €

(ohne MwSt.)

14,71 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

Zusätzlich 14.865 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	2,472 €	12,36 €
50 - 95	2,132 €	10,66 €
100 +	1,848 €	9,24 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 229-6453
Herst. Teile-Nr.:: NTD360N65S3H
Marke:: onsemi

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	SUPERFET III
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	360mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Höhe	6.22mm
	Breite	2.39 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie SUPERFET III
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Höhe 6.22mm
	Breite 2.39 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NTD360N65S3H

Leistungs-MOSFET, N-Kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die die Charge-Balance-Technologie für einen außergewöhnlich niedrigen On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und extremen dv/dt-Raten standzuhalten. Folglich trägt die SUPERFET III FAST MOSFET-Serie dazu bei, verschiedene Leistungssysteme zu minimieren und die Systemeffizienz zu verbessern.

Eigenschaften

• 700 V @ TJ = 150 °C

• Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 17,5 nC)

• Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 180 pF)

• Schnelle Schaltleistung mit robuster Body-Diode

• 100 % Avalanche-getestet

• RoHS-konform

• Typ. RDS(on) = 296 m

• Interner Gate-Widerstand: 0,9

onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin NTD360N65S3H TO-252

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Leistungs-MOSFET, N-Kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK

Eigenschaften

Verwandte Links